当第一代、第二代半半导体资料工艺渐渐逼近物理极限，希望冲破保守半半导体本领瓶颈的第三代半半导体资料变成行业兴盛的骄子。

究竟上，海内之以是将半半导体资料以“代”来分别，几何缘自于跟着半半导体资料的大范围运用而来的三次财产革新。

第一代半半导体资料以硅（Si）为代办，其代替了沉重的真空管，激动了以集成通路为中心的微电子财产的迅猛兴盛。

第二代半半导体资料以砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）等为主，磷化铟半半导体莱塞是光通讯体例的要害器件，砷化镓高速器件更开辟了光导纤维及挪动通讯新财产。

而以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代办的第三代半半导体资料则灵验激动着半半导体照明、表露、风力公共汽车等财产的兴盛。

从半半导体资料的三项要害参数看，第三代半半导体资料在电子迁徙率（工业气压前提下的高频处事本能）、饱和漂移速度（高压前提下的高频处事本能）、禁带宽窄（器件的耐压本能、最高处事温度与光学本能）三项目标上均强于硅资料器件。

个中，最引人注手段是第三代半半导体的“宽禁带（Wide Band-Gap，WBG）”。高禁带宽窄的长处是，器件耐高压、耐高温，而且功率大、抗辐射、导热本能强、处事速率快、处事耗费低。

但参数的崇高并不表示着半半导体资料一代更比一代好。究竟上，一、二、三代半半导体资料各有其符合的运用范围，在将来很长的功夫中，这三代半半导体资料还将并存。

固然硅资料没有那么牛的参数，但在真实性和完全本能上，暂时还没有任何半半导体资料不妨和它对抗。动作半半导体行业人士心中的“最终半半导体”，金刚石以至连试验室都还没走出。

但同声咱们不妨看到，跟着氮化镓资料切入电源处置，复合物半导机制造财产的面貌迎来变换。

复合物半半导体泛指百般不以硅为普通的半半导体资料，常常可分红三五族半半导体与二六族半半导体。

三五族半半导体由三族的元素铝、镓、铟及五族的元素氮、磷、砷、锑等构成。二六族半半导体则是由二族的元素锌、镉、汞和六族元素硫、硒、碲产生的复合物。

一切电子摆设都须要电源处置，当氮化镓敲开电源处置这个宏大商场的大门，复合物半半导体也发端展示出阻挡小觑的贸易后劲。